元器件采购网 > V-3088页 > 晶体管(BJT) - 阵列VT6X1T2R

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VT6X1T2R

6-SMD Rohm Semiconductor
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VT6X1T2R参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
说明:TRANS NPN 20V 200MA VMT6
包装数量:8000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA,2V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:400MHz
安装类型:表面贴装

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